I Международная конференция

Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов

ФИЦ ИУ РАН, НИИМЭ, МАИ

ОКТ

21-23

2019

Для участия в конференции необходимо послать тезисы по адресу matmodel2013@gmail.com до 21 июля 2019 г. с заполненой заявкой на участие.

Тексты статей для публикаций в журналах необходимо направить на рецензирование до 15 августа 2019 г.

Тезисы докладов и статьи принимаются формате Microsoft Word. Объем тезисов - до трех полных страниц формата A4. Объем статьи 6-7 страниц. Правила оформления: поля со всех сторон 25 мм, шрифт Times New Roman, кегль 12pt, межстрочный интервал полуторный. Формулы должны быть набраны в редакторе Microsoft Equation или MathType.

Для посещения конференции в качестве слушателя (без доклада) необходимо зарегистрироваться, отправив заполненную заявку по адресу matmodel2013@gmail.com до 1 октября 2019 г.

Конференция пройдет с 21 по 23 октября 2019.

По адресу: г. Москва, ул. Вавилова, д. 40.

Организаторы:

  • ФИЦ «Информатика и управление» РАН
  • Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»
  • Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»
  • МАИ (национальный исследовательский университет)

Планируется выпуск Материалов Конференции, с размещением в РИНЦ. Лучшие работы будут опубликованы в специальном выпуске журнала Известия вузов. Материалы электронной техники за 2019 г. (ВАК).

Отдельные из них будут опубликованы в журналах Russian Microelectronics и Phys.st.sol.(B) (WoS, Scopus).

Тематика конференции

1Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных
Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур2
3Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, имитационные модели и т.д.)
Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике4
5Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения
Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.6

Приглашенные докладчики

проф. д-р Вазер Р., Институт исследований твердого тела Макса Планка, Штутгарт, Германия

д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия

проф. Педру Ж.К., Университет Авейру, Португалия

академик РАН Латышев А.В., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

член-корреспондент РАН Двуреченский А.В., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

д-р физ.-мат. наук Журавлев К.С., Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

член-корреспондент РАН Жуков А.Е., Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН

Научная программа мероприятия

Сведения об участниках мероприятия

Сведения на 20 февраля

21 октября

Секция A. Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных

Секция B. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур

Программа докладов

22 октября

Секция C. Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, имитационные модели и т.д.)

Секция D. Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике

Программа докладов

23 октября

Секция E. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения

Секция F. Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т.д.

Программа докладов

Программный комитет

Председатель:

академик РАН Евтушенко Ю.Г., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Заместитель председателя:

д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Члены программного комитета:

академик РАН Соколов И.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

академик РАН Красников Г.Я., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

чл.-корр. РАН Лукичев В.Ф., ФТИАН РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Флеров Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Поспелов И.Г, ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Кведер В.В., ИФТТ РАН, Черноголовка, Россия

д-р техн. наук Гамкрелидзе С.А., ИСВЧЭ РАН, Москва, Россия

чл.-корр. РАН Двуреченский А.В., ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия

д-р Соболев Н.А., Университет Авейру, Португалия

д-р. физ.-мат. наук Ревизников Д.Л., МАИ, Москва, Россия

д-р физ.-мат. наук Илюшин А.С., МГУ, Физический ф-т, Москва, Россия

д-р техн. наук Горнев Е.С., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

д-р физ.-мат. наук Итальянцев А.Г., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

д-р физ.-мат. наук Тишкин В.Ф., ИПМ РАН, Москва, Россия

д-р техн. наук Захаров В.Н., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

проф. д-р Котомин Е., Институт исследований твердого тела Макса Планка, Штутгарт, Германия, Институт физики твердого тела Латвийского университета, Рига, Латвия

Организационный комитет

Председатель:

д-р техн. наук Зацаринный А.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Заместитель председателя:

д-р физ.-мат. наук Абгарян К.К., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Члены организационного комитета:

д-р техн. наук Харченко В.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Колбин И.С., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

проф. д-р Мендеш Ж.Ф., Университет Авейру, Португалия

канд. физ.-мат. наук Бажанов Д.И., МГУ, Физический факультет, Москва, Россия

канд. техн. наук Тельминов О.А., АО НИИМЭ, Зеленоград, Россия

канд. техн. наук Степченков Ю.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Мутигуллин И.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд. физ.-мат. наук Загордан Н.Л., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

канд.физ.-мат. наук Занавескин М.Л., НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия

Гаврилов Е.С., МАИ, Москва, Россия

Уваров С.И., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия


Секретариат организационного комитета:

Уварова О.В., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия

Сеченых П.А., ФИЦ ИУ РАН, Москва, Россия