Семинар 9

 ИТСН

Информационное сообщение

24 ноября 2016 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына Федерального исследовательского центры «Информатика и управление» РАН состоится девятое заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме

«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова.

Программа заседания:

  1. Российская микроэлектроника на современном этапе
    Е.С. Горднев, секретарь Межведомственного совета Главных конструкторов по электронной компонентной базе, гл. н. сотрудник АО НИИ молекулярной электроники
    11:00 – 11:40, обсуждение 10 мин
  2. Состояние СВЧ-электроники: проблемы и перспективы
    11:50 – 12:40, обсуждение 10 мин

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 13:40-14:00

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал Начало регистрации: 10.30, начало заседания 11.00

Контактное лицо: Сеченых Полина Алексеевна (ул. Вавилова дом 40, ком. 121)
тел.: 8 495 938 2867;
моб.: 8(967) 029 84 20;
факс: 8 499 135 61 59;
e-mail: matmodel2013@gmail.com

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов»,
зав. отделом ВЦ РАН ФИЦ ИУ РАН, Абгарян Каринэ Карленовна
моб.: 8 903 108 03 40
e-mail: kristal83@mail.ru