Семинар 7

ИТСН

Информационное сообщение

19 ноября 2015 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына Федерального исследовательского центры «Информатика и управление» РАН состоится седьмое заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме
«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова.

Программа 7-го заседания:
Доклады:

  1. Создание информационно-вычислительной среды для решения задач полупроводникового материаловедения
    К.К. Абгарян, зав. отделом ВЦ им. А.А.Дородницына РАН (ФИЦ ИУ РАН)
    11:00 – 11:30, обсуждение 10 мин
  2. Современные тенденции развития технологии СВЧ приборов на нитридных гетероструктурах
    Ю.В. Федоров, гл. конструктор - зам. директора ИСВЧПЭ РАН
    11:40 – 12:10, обсуждение 10 мин
    Перерыв 12:20-12:40
  3. Исследование механизмов формирования пленок III - нитридов и разработка подходов к росту нитридных гетероструктур для GaN HEMT методом аммиачной молекулярно - лучевой эпитаксии
    Ю.В. Грищенко, И.С. Езубченко, М.Л. Занавескин, И.О. Майборода, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
    12:40 – 13:10, обсуждение 10 мин
  4. Методика моделирования гетерогенных сред с внутренними границами раздела. И.В. Матюшкин ОАО "НИИМЭ и Микрон"
    И.В. Матюшкин ОАО "НИИМЭ и Микрон"
    13:20 – 13:50, обсуждение 10 мин
  5. Дискуссия по обсуждаемой проблеме 14:00 – 14:30

    Просьба своевременно подтвердить Ваше участие в работе семинара!

    Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал

    Начало регистрации: 10:30, начало заседания 11:00

    Контакты: зав. сектором Абгарян Карина Карленовна,
    м.н.с. Сеченых Полина Алексеевна – 8(967) 029 84 20
    Телефон: 8 495 938 28 67 (ул. Вавилова, дом 40, ком. 121),
    Факс: 8 499 135 61 59
    Электронная почта оргкомитета: matmodel2013@gmail.com