Семинар 5

 ИТСН

Информационное сообщение

28 ноября 2014г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына состоится заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме
«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова.

Программа 5-го заседания:
Доклады:

  1. Особенности многоуровневого моделирования полупроводниковых наноструктур.
    зав.сектором, к.ф.-м.н. Абгарян Карина Карленовна, ВЦ РАН
    11:00 – 11:30, обсуждение 10 мин
  2. Нитридные НЕМТ против арсенидных – последняя битва.
    зам. директора Федоров Юрий Владимирович, ИСВЧПЭ РАН
    11:40 – 12:10, обсуждение 10 мин
    Перерыв 12:20-13:00
  3. Динамический магнетизм упорядоченных и разупорядоченных кластеров малых немагнитных частиц
    • в.н.с., д.ф.-м.н. Барабаненков Михаил Юрьевич, ИПТМиОМ РАН;
    • г.н.с., д.ф.-м.н. Барабаненков Ю.Н., ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
    13:00 – 13:30, обсуждение 10 мин
  4. Нитридизация поверхности сапфира в потоке аммиака: эксперимент и теоретическое представление
    Мансуров В., ИФП РАН
    13:40 – 14:10, обсуждение 10 мин
  5. Радиационные эффекты в квантово-размерных структурах полупроводников A3B5
    Соболев Н.А.
    14:20 – 14:50, обсуждение 10 мин

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 15:00 – 15:30

Просьба своевременно подтвердить Ваше участие в работе семинара!

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал

Начало регистрации: 10:30, начало заседания 11:00

Контакты: зав. сектором Абгарян Карина Карленовна,
м.н.с. Сеченых Полина Алексеевна – 8(967) 029 84 20
Телефон: 8 495 938 28 67 (ул. Вавилова, дом 40, ком. 121),
Факс: 8 499 135 61 59
Электронная почта оргкомитета: matmodel2013@gmail.com