Семинар 13

 ИТСН

Информационное сообщение

23 января 2019 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына ФИЦ ИУ РАН состоится 13-е заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме

«Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко

Тема заседания:

«Новые направления и возможности применения информационных технологий в области создания перспективных материалов для наноэлектроники»

  1. Ионно-лучевая технология перпендикулярных магнитных туннельных переходов
    д.т.н., профессор Соболев Н.А. Университет Авейро, Португалия, и НУСТ "МИСиС", г. Москва,
    11:00 – 11:40, обсуждение 10 мин
  2. Подходы к математическому моделированию нанотранзисторов
    к.т.н., с.н.с. Семенихин И.А. ФТИАН им. К.А.Валиева
    11:50 – 12:30, обсуждение 10 мин
  3. Архитектура масштабируемой веб-ориентированной распределенной системы для поддержки расчетных схем в многомасштабном моделировании
    н.с. Гаврилов Е.С. ФИЦ ИУ РАН
    12:40 – 13:00, обсуждение 10 мин

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 13:10-13:30

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал

Начало регистрации: 10:30, начало заседания 11:00

Контактное лицо: Сеченых Полина Алексеевна (ул. Вавилова дом 40, ком. 121)
тел.: 8 495 938 2867;
моб.: 8 967 029 84 20;
e-mail: matmodel2013@gmail.com

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов»,
зав. отделом ВЦ РАН ФИЦ ИУ РАН, Абгарян Каринэ Карленовна
моб.: 8 903 108 03 40
e-mail: kristal83@mail.ru

Фотографии с проведенного семинара