Семинар 11

 ИТСН

Информационное сообщение

17 мая 2018 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына ФИЦ ИУ РАН состоится одинадацатое заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме

«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова.

Программа заседания:

  1. Актуальные задачи моделирования в изделиях современной микроэлектроники
    Итальянцев А.Г. д.ф.-м.н., профессор, начальник отдела функциональной электроники АО «НИИМЭ»
    11:00 – 11:40, обсуждение 10 мин
  2. Математическое моделирование температурных зависимостей параметров СВЧ транзисторов и МИС на нитридных гетероструктурах
    Федоров Ю.В., гл. конструктор - зам. директора ИСВЧПЭ РА
    11:50 – 12:30, обсуждение 10 мин
  3. Особенности характеристик управляемых полем элементов Холла на основе кремниевых тонкопленочных двухзатворных МОП транзисторов со встроенным каналом (результаты экспериментов и задачи математического моделирования)
    Мордкович В.Н.,д.ф.-м.н., профессор, главный научный сотрудник ИПТМ РАН
    12:40 – 13:20, обсуждение 10 мин
  4. Разработки схем нейроморфных вычислений, памяти, радиофотоники и цифро-аналоговой электроники
    МФТИ, кафедра Микро- и наноэлектроники (базовая организация АО НИИМЭ)
    1. Размерные эффекты при формировании тонких плёнок оксида гафния
      Константинов В.С., аспирант
    2. Модель аппаратной реализации искусственного нейрона с динамической функцией активации и бинарным множеством входных и выходных сигналов
      Теплов Г.С., аспирант
    3. Эффект сепарирования компонентов пар Френкеля при имплантации структуры SiO2-Si
      Баранов Г.В., аспирант
    13:30 – 14:15, обсуждение 10 мин

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 14:15-14:45

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал Начало регистрации: 10:30, начало заседания 11:00

Контактное лицо: Сеченых Полина Алексеевна (ул. Вавилова дом 40, ком. 121)
тел.: 8 495 938 2867;
моб.: 8(967) 029 84 20;
факс: 8 499 135 61 59;
e-mail: matmodel2013@gmail.com

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов»,
зав. отделом ВЦ РАН ФИЦ ИУ РАН, Абгарян Каринэ Карленовна
моб.: 8 903 108 03 40
e-mail: kristal83@mail.ru