Семинар 1

 ИТСН

Первое информационное сообщение

28 марта 2013 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына будет проводиться научно-практический семинар по проблеме

«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»

Предполагаемая повестка дня:

Открытие семинара – академик Евтушенко Ю.Г., директор ВЦ РАН

Доклады:
  1. Моделирование электронных наногетероструктур на основе (Al,Ga)N/GaN и сравнительное исследование СВЧ параметров изготовленных на них приборов.
    • Авторы: Федоров Ю.В. (ИСВЧПЭ РАН), Михайлович С.В.(ИСВЧПЭ РАН), Днестранская Е.Ю.(Исток), Дудинов К.В. (Исток)
    • Докладчики: Основной — Федоров Ю.В., содокладчики — Днестранская Е.Ю., Михайлович С.В.
  2. Тенденции развития технологии нитридных соединений для СВЧ-техники и силовой электроники.
    • Авторы: Арендаренко А.А., Цыпленков И.Н.( ЗАО «Элма-Малахит»)
    • Докладчик: Арендаренко А.А.
  3. Многомасштабное моделирование многослойных полупроводниковых наноструктур.
    • Авторы: Абгарян К.К., Бажанов Д.И.,Мутигуллин И.В.( ВЦ РАН, Физический факультет МГУ).
    • Докладчик: Абгарян К.К.
  4. «Кинтехлаб»
    • Авторы: Книжник А.А., Бажанов Д.И., (ООО «Кинтехлаб», Физический факультет МГУ).

Заседание состоится по адресу:
г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж конференц-зал
Начало заседания: 11.00

Контакты:

Абгарян Карина Карленовна, Супрядкина Ирина Анатольевна

Телефон: 8 903 108 03 40
Факс: 8 499 135 61 59
e-mail: kristal83@mail.ru

Для обеспечения допуска в ВЦ РАН, просим участников семинара срочно сообщить ФИО, место работы, должность, контактный телефон. Проход на территорию ВЦ РАН осуществляется по списку при предъявлении паспорта.

Директор-координатор НОЦ «Инновации и технологии создания наноматериалов», ВЦ РАН
Абгарян К.К.